真空阀件是什么?一次盘点用到真空阀件的7个半导体制程
Contents
- 1.真空阀件在半导体应用的主要用途
- 1.1 用途1:气体控制与调节
- 1.2 用途2:维持真空环境
- 1.3 用途3:防止交叉污染
- 1.4 用途4:气体封闭与排放
- 1.5 用途5:提高制程精确度
- 2. 半导体应用的真空阀件有哪些?
- 2.1 真空闸阀
- 2.2 真空传输阀
- 2.3 真空直角阀
- 3. 哪些半导体制程需要真空阀件?
- 3.1 化学气相沉(CVD)
- 3.2 物理气相沉(PVD)
- 3.3 电浆刻蚀(Plasma Etching)
- 3.4 原子层沉积(ALD)
- 3.5 离子注入(Ion Implantation)
- 3.6清洗(如湿法清洁、真空清洁)
- 3.7 镀膜(Coating)
- 4.安徕科技 | 真空阀件厂商推荐
科技需求的增加推动了半导体市场,增加了真空阀件的依赖。本文介绍真空阀件对半导体的重要性、真空阀件零件介绍及半导体的制程应用。
真空阀件在半导体应用的主要用途
真空阀件在半导体制程中的应用非常关键,主因是半导体制程中常需要高真空环境,以确保制程的精确性和产品的品质。真空阀件是控制气体流动、维持真空状态及调节气体压力的核心设备。以下是真空阀件主要用途:
用途1:气体控制与调节
在半导体制程中,化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、溅镀等过程中,需要精确控制气体。真空阀件能用来控制不同气体的进入与流量,确保每个制程步骤中气体浓度、压力和流速都能达到所需的条件。
用途2:维持真空环境
许多半导体制程步骤,如镀膜、干蚀刻等,需要在高真空度的环境下进行。真空阀件用来维持工作环境中的真空度,防止外界气体进入,并确保在制程中,内部真空不会因为阀门漏气或操作不当而受到干扰。
用途3:防止交叉污染
在半导体制程中,不同的气体、化学品或反应物可能会交叉污染。真空阀件能精确地切换、排出和隔离反应气体,防止不同气体或物质的混合,进而确保每个制程阶段的纯度和稳定性。
用途4:气体封闭与排放
在某些半导体制造过程中,当制程结束或需要中断时,真空阀可以迅速封闭系统并控制废气的排放。例如,当需要排放某些气体或化学品时,真空阀件可协助有效控制排放系统,避免有害气体泄漏。
用途5:提高制程精确度
在半导体制程中,每一个细微的环境变化都可能影响最后产品的品质。真空阀件的精确控制能确保气体、压力和流量的稳定性,从而提高制程的重复精确度。
半导体应用的真空阀件有哪些?
在半导体制造过程中,真空环境非常重要,而真空阀件则是确保真空环境稳定与控制的关键组件。这些阀件用于精确控制气体流量、压力和维持腔体内真空程度:
真空闸阀
真空闸阀是透过闸板来控制气流的阀门,主要作用是阻隔在不同的真空环境,大多用于高真空和高超真空环境中,镀膜、化学气相沉积、物理气相沉积都用得到真空闸阀。
真空传输阀
真空传输阀是一种必需在真空环境中,传送晶圆材料的制程不可或缺的一项装置,通常用于真空对真空的环境,让晶圆可以自由地在不同制程设备间转移的过程,转移过程中仍保持真空状态。
真空直角阀
真空直角阀常因使用环境空间受限,因此在设计上有多款型式供客户选型:例如直角型、直线型、Z型角阀,角阀也因外型多样可以让客户选用更有效运用空间,一般采用气动的方式控制阀板,也有特殊的电动型式。
这些真空阀件能确保真空环境稳定、控制气流及提高生产效率,尤其在半导体制造、真空镀膜、物理气相沉积(PVD)等精密制程中尤为重要。
哪些半导体制程需要真空阀件?
半导体制程脱离不了真空环境,尤其在以下7个制程,真空阀件扮演了重要角色:
化学气相沉积(CVD)
化学气相沉积(CVD)是将气体原料引入反应腔体中,通过化学反应沉积薄膜的过程,广泛应用于半导体的薄膜沉积(如矽氧化层、氮化矽层等)。
物理气相沉积(PVD)
物理气相沉积(PVD)透过蒸发、溅射等方法将固体材料转化为气体,再沉积到基板上,应用于金属层和薄膜的沉积。
电浆刻蚀(Plasma Etching)
电浆刻蚀是干式蚀刻,是目前最常使用的蚀刻方式,常用于图案化和刻蚀薄膜层,将电路图案进行精密加工,需要极为精密的真空阀件。
原子层沉积(ALD)
原子层沉积(ALD)是一种精确控制薄膜厚度的沉积方法,主要用于超薄材料的沉积。原子层沉积对气体流量和压力要求极高,需要真空闸阀真空直角阀等等真空阀件。
离子注入(Ion Implantation)
离子注入用于在半导体晶圆中注入特定的离子,以改变电学特性。离子注入通常在真空环境下进行,以确保离子能准确注入到晶圆中。
清洗(如湿法清洁、真空清洁)
在半导体制造过程中,清洗用于去除表面污染物和残留的化学物质。清洗过程要在真空环境中进行,特别是某些湿法清洗步骤之后再进行干燥的的清洗方式。
镀膜(Coating)
镀膜用于为晶圆表面沉积薄膜,以达到所需的电气或机械性质。根据工研院的资料,晶圆表面镀膜是后续微影、蚀刻制程的前置步骤,依据发光、导电或保护等不同需求,薄膜的材质和成分皆不同。
镀膜过程需要在真空环境下进行,以确保薄膜的品质和最终的产品良率,所需的真空阀件包括真空闸阀、真空传输阀和真空直角阀等等。
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